[发明专利]一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202111451059.9 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114002295A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李慧珺;何斌;直士博;黄粤夷;郭小瑜;王现英;王丁 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327;G01N27/26;G01N33/543;G01N33/68;C08G73/06 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 刘旭章 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法，包括：该复合结构为聚多巴胺包覆在硅纳米线阵列表面。本发明还公开了上述传感器在光电免疫检测心肌梗死生物标记物‑肌钙蛋白中的应用。硅纳米线阵列具有优异的光电转换性能；聚多巴胺生物相容性好，且表面具有丰富胺基官能团，易修饰。将两种材料结合获得的复合结构。根据本发明，有效降低光电免疫传感器结构复杂程度的同时，提高免疫传感的稳定性和灵敏度，用于检测心肌肌钙蛋白I，灵敏度高，特异性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 阵列 多巴胺 复合 结构 光电 免疫 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111451059.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超轻皮肤衣
- 下一篇：一种适合科普教育的物联网餐厨垃圾处理装置及方法
