[发明专利]一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法

权利要求书

1.一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器，其特征在于，包括：

硅纳米线阵列电极，所述硅纳米线阵列电极包括基底，所述基底上刻蚀硅纳米线阵列，所述基底为硅片；

硅纳米线阵列@PDA电极，所述硅纳米线阵列@PDA电极为在硅纳米线阵列电极的表面原位修饰聚多巴胺薄膜形成；

测试电极，所述测试电极为硅纳米线阵列@PDA电极上固定抗体分子形成。

2.如权利要求1所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器，其特征在于，所述硅片的类型为n型硅或p型硅。

3.如权利要求2所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制备硅纳米线阵列电极，将硅片切割成合适尺寸进行清洗干净并且正面向上，放入装有刻蚀液的容器中，在15-45℃温度下刻蚀0.5-6h，最后，将刻蚀好的硅纳米线阵列冲洗干净后吹干，得到硅纳米线阵列电极；

S2、将步骤S1中制得硅纳米线阵列电极放入配置好的混合溶液中搅拌0.5–24h，得到聚多巴胺包裹的硅纳米线阵列，取出所述的硅纳米线阵列电极冲洗后吹干，制得硅纳米线阵列@PDA电极；

S3、将步骤S2中制得的硅纳米线阵列@PDA电极浸没在抗体溶液中0.5-24h，取出所述硅纳米线阵列@PDA电极冲洗后，再将其浸没在牛血清蛋白溶液中0.5-24h，取出所述硅纳米线阵列@PDA电极冲洗后制得光电免疫传感器的测试电极。

4.如权利要求3所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的刻蚀液分为两种，一种刻蚀液的配制方法为将0.08mol/L的硝酸银与10mol/L氢氟酸溶液，按体积比1:1混合，另一种的刻蚀液的配制方法为将0.6mol/L的双氧水与10mol/L氢氟酸溶液，按体积比1:1混合。

5.如权利要求4所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S1中将晶面类型为100晶面的n型硅片表面刻蚀硅纳米线阵列，将清洗后的硅片抛光面向上放入装有含一种刻蚀液的容器中，刻蚀1分钟后，取出上述硅片，放入装另一种刻蚀液的容器中，刻蚀1小时，将刻蚀好的硅片冲洗干净，氮气吹干，制得硅纳米线阵列电极；

所述步骤S2中在硅纳米线阵列电极上生长聚多巴胺薄膜，将步骤S1中制得的硅纳米线阵列电极浸没在多巴胺溶液中0.5-24h，取出所述硅纳米线阵列电极冲洗后吹干，制得硅纳米线阵列@PDA电极；

所述步骤S3中在硅纳米线阵列@PDA电极上固定抗体分子，将步骤S2中制得的硅纳米线阵列@PDA电极浸没在抗体溶液中0.5-24h，取出所述硅纳米线阵列@PDA电极冲洗，然后将其浸没在牛血清蛋白溶液中30min，取出所述硅纳米线阵列@PDA电极冲洗后制得光电免疫传感器的测试电极。

6.如权利要求5所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器制备方法，其特征在于，步骤S1和步骤S2中的冲洗为经去离子水冲洗，所述步骤S1中的清洗为依次经过丙酮、无水乙醇、去离子水、食人鱼溶液、水超声处理，所述超声处理为丙酮、无水乙醇、去离子水清洗液中各超声清洗三次，每次10min，食人鱼溶液清洗液中超声一次，时间为30min。

7.如权利要求6所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器制备方法，其特征在于，所述步骤S2中多巴胺溶液的浓度为1-5mg/mL，配制方法为将多巴胺溶于pH＝8.5的三羟甲基氨基甲烷-盐酸缓冲溶液中。

8.如权利要求7所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器制备方法，其特征在于，所述S3中冲洗为经过TBS洗液、PBS缓冲液依次冲洗；所述TBS洗液的配置方法为将6g三羟甲基氨基甲烷-盐酸盐、8g氯化钠、0.2g氯化钾溶于1L水中，调pH至8后再加入500μL吐温20。

9.如权利要求8所述的一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器制备方法，其特征在于，所述牛血清蛋白溶液的浓度为1mg/mL，配制方法为将牛血清蛋白溶于0.01M的PBS缓冲液中。