[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111448256.5 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114171679A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 余航;范晓;陈广龙;向超;王龙鑫 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：形成第二层间绝缘介质层，其中形成阵列式排布的多个沟槽；在所述沟槽内以及所述第二层间绝缘介质层表面依次形成金属下极板、介质层、金属上极板和金属接触层；去除所述第二层间绝缘介质层表面的所述金属下极板、所述介质层、所述金属上极板和所述金属接触层以得到沟槽型阵列排布的MIM电容器。本发明还提供一种半导体器件。本申请通过在所述第二层间绝缘介质层中的沟槽内形成阵列排布的沟槽型MIM电容器，可以减少MIM电容器在半导体器件中的占用面积，有效提升小尺寸半导体器件的面积利用效率，并且提高了电容密度，相比传统平面型的MIM电容，沟槽型MIM电容器的密度至少提升5到10倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111448256.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
