[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一层间绝缘介质层，所述第一层间绝缘介质层中形成有第一开口；

形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开口；

形成第一NDC层，所述第一NDC层覆盖所述第一层间绝缘介质层和所述第一金属层；

形成第二层间绝缘介质层，所述第二层间绝缘介质层覆盖所述第一NDC层；

刻蚀所述第二层间绝缘介质层和所述第一NDC层至所述第一金属层表面以形成阵列式排布的多个沟槽；

形成金属下极板，所述金属下极板覆盖所述第二层间绝缘介质层以及所述沟槽的底壁和侧壁；

形成介质层，所述介质层覆盖所述金属下极板；

形成金属上极板，所述金属上极板覆盖所述介质层；

形成金属接触层，所述金属接触层覆盖所述金属上极板且填充所述沟槽的剩余空间；以及，

采用化学机械研磨工艺去除所述第二层间绝缘介质层表面的所述金属下极板、所述介质层、所述金属上极板和所述金属接触层，并保留所述沟槽内的所述金属下极板、所述介质层、所述金属上极板和所述金属接触层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比大于或者等于3。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属下极板的厚度为45nm～55nm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层的厚度为15nm～30nm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属上极板的厚度为25nm～35nm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在采用化学机械研磨工艺去除所述第二层间绝缘介质层表面的所述金属下极板、所述介质层、所述金属上极板和所述金属接触层之后，所述半导体器件的制备方法还包括：形成第一金属插塞，所述第一金属插塞贯穿所述第二层间绝缘介质层和所述第一NDC层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述第一金属插塞之后，所述半导体器件的制备方法还包括：形成第二NDC层，所述第二NDC层覆盖第二层间绝缘介质层、所述第一金属插塞和所述沟槽顶端的所述金属下极板、所述介质层、所述金属上极板和所述金属接触层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述第二NDC层之后，所述半导体器件的制备方法还包括：形成氧化层，所述氧化层覆盖所述第二NDC层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述氧化层之后，所述半导体器件的制备方法还包括：形成第二金属插塞和与所述第二金属插塞相连的第二金属层，所述第二金属插塞贯穿所述第二NDC层以及穿过部分厚度的所述氧化层，所述第二金属层穿过剩余厚度的所述氧化层，其中，通过所述第二金属插塞和所述金属接触层，所述金属上极板电连接至所述第二金属层；通过所述第二金属插塞和所述第一金属插塞，所述第一金属层电连接至所述第二金属层。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一层间绝缘介质层，所述第一层间绝缘介质层中形成有第一开口；

第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开口；

第一NDC层，所述第一NDC层覆盖所述第一层间绝缘介质层和所述第一金属层；

第二层间绝缘介质层，所述第二层间绝缘介质层覆盖所述第一NDC层，所述第二层间绝缘介质层中形成有阵列式排布的多个沟槽；

金属下极板，所述金属下极板覆盖所述沟槽的底壁和侧壁；

介质层，所述介质层覆盖所述金属下极板；

金属上极板，所述金属上极板覆盖所述介质层；以及，

金属接触层，所述金属接触层覆盖所述金属上极板且填充所述沟槽的剩余空间。