[发明专利]集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法有效
| 申请号： | 202111446671.7 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114038908B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;丁嘉伟;杨瑞;李旭;李轩;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/66;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法，器件结构包括：N+衬底、N型漂移区、P‑well区、横向N+源区、纵向倒L型N+源区、N型沟道层、P‑base区、栅介质、多晶硅栅、源极、漏极。本发明在沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构的沟槽底部深P‑well区引入一个N型沟道层和纵向倒L型N+源区，利用N型沟道层和栅氧化层界面处存在的低势垒，集成了具有低导通压降的二极管，显著改善了器件第三象限性能，抑制了体二极管开通引起的双极退化问题。此外，碳化硅MOSFET器件正向导通时，沟槽底部深P‑well区的N型沟道区作为积累型沟道与P‑base区中反型层沟道并联，提高了器件正向导通电流能力，降低了器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 二极管 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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