[发明专利]一种FRD结构及其制作方法和应用有效
| 申请号： | 202111444615.X | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114203829B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李学会;喻双柏;和巍巍;汪之涵;傅俊寅;魏炜 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 郑姣 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种FRD结构及其制作方法和应用。其中，FRD结构包括衬底和覆于衬底的终端环形场氧化层，终端环形场氧化层沿衬底的周缘环形设置，终端环形场氧化层围成对应于衬底的中间位置的源区；FRD结构还包括P‑阱区和多个P+阱区，P‑阱区覆于衬底且位于源区，多个P+阱区均覆于P‑阱区且均嵌入P‑阱区，多个P+阱区相互间隔，以形成至少一个泄放通道，泄放通道相对的两端均与终端环形场氧化层衔接；泄放通道用于引导FRD结构的雪崩电流至源区的中间位置。本申请中，雪崩电流主要通过泄放通道流向源区的中间位置，使得雪崩电流不会集中在芯片的边沿，从而增大了芯片的散热面积，不易形成热量积聚和局部热点，进而能够有效地提升FRD结构的雪崩耐量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 frd 结构 及其 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
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