[发明专利]一种FRD结构及其制作方法和应用

权利要求书

1.一种FRD结构，包括衬底和覆于所述衬底的终端环形场氧化层，所述终端环形场氧化层沿所述衬底的周缘环形设置，所述终端环形场氧化层围成对应于所述衬底的中间位置的源区；其特征在于，所述FRD结构还包括P-阱区和多个P+阱区，所述P-阱区覆于所述衬底且位于所述源区，所述多个P+阱区均覆于所述P-阱区且均嵌入所述P-阱区，所述多个P+阱区相互间隔，以形成至少一个泄放通道，所述泄放通道相对的两端均与所述终端环形场氧化层衔接，所述泄放通道用于引导所述FRD结构的雪崩电流至所述源区的中间位置；

所述多个P+阱区呈矩形阵列分布，致使所述泄放通道包括第一通道和第二通道；其中，在所述衬底的长度方向上，任意相邻的两排所述P+阱区间隔形成所述第一通道，所述第一通道沿所述衬底的长度方向延伸；在所述衬底的宽度方向上，任意相邻的两排所述P+阱区间隔形成所述第二通道，所述第二通道沿所述衬底的宽度方向延伸。

2.如权利要求1所述的FRD结构，其特征在于，所述衬底包括N+衬底和N-外延层；所述N-外延层覆于所述N+衬底，且位于所述N+衬底与所述P-阱区、所述终端环形场氧化层之间；其中，所述P-阱区覆于所述N-外延层，且嵌入所述N-外延层。

3.如权利要求2所述的FRD结构，其特征在于，所述N-外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层和所述第二外延层沿所述N+衬底指向所述P-阱区的方向依次层叠设置，所述P-阱区覆于所述第二外延层，且嵌入所述第二外延层；其中，所述第一外延层的电阻率小于所述第二外延层的电阻率，所述第一外延层的厚度小于所述第二外延层的厚度。

4.如权利要求3所述的FRD结构，其特征在于，还包括多个场限环，所述多个场限环均位于所述第二外延层内，且均覆于所述终端环形场氧化层的内表面；其中，所述终端环形场氧化层还围成分别对应于所述多个场限环的多个场限环区。

5.一种FRD结构的制作方法，用于制作所述FRD结构；所述FRD结构包括衬底和覆于所述衬底的终端环形场氧化层，所述终端环形场氧化层沿所述衬底的周缘环形设置，所述终端环形场氧化层围成对应于所述衬底的中间位置的源区；其特征在于，所述FRD结构还包括P-阱区和多个P+阱区，所述P-阱区覆于所述衬底且位于所述源区，所述多个P+阱区均覆于所述P-阱区且均嵌入所述P-阱区，所述多个P+阱区相互间隔，以形成至少一个泄放通道，所述泄放通道相对的两端均与所述终端环形场氧化层衔接，所述泄放通道用于引导所述FRD结构的雪崩电流至所述源区的中间位置；

所述多个P+阱区呈矩形阵列分布，致使所述泄放通道包括第一通道和第二通道；其中，在所述衬底的长度方向上，任意相邻的两排所述P+阱区间隔形成所述第一通道，所述第一通道沿所述衬底的长度方向；在所述衬底的宽度方向上，任意相邻的两排所述P+阱区间隔形成所述第二通道，所述第二通道沿所述衬底的宽度方向；

所述FRD结构的制作方法包括：

在所述衬底上形成所述终端环形场氧化层；

以所述终端环形场氧化层作为掩膜，在所述衬底上位于所述源区的位置形成所述P-阱区；

在所述P-阱区上形成所述多个P+阱区。

6.如权利要求5所述的FRD结构的制作方法，其特征在于，所述衬底包括N+衬底和N-外延层；所述N-外延层覆于所述N+衬底，且位于所述N+衬底与所述P-阱区、所述终端环形场氧化层之间；其中，所述P-阱区覆于所述N-外延层，且嵌入所述N-外延层；

所述N-外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层和所述第二外延层沿所述N+衬底指向所述P-阱区的方向依次层叠设置，所述P-阱区覆于所述第二外延层，且嵌入所述第二外延层；其中，所述第一外延层的电阻率小于所述第二外延层的电阻率，所述第一外延层的厚度小于所述第二外延层的厚度；

所述在所述衬底上形成所述终端环形场氧化层之前还包括：

在所述N+衬底上形成所述第一外延层和所述第二外延层。