[发明专利]一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管在审
| 申请号： | 202111434901.8 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114038919A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 高巍;陕晏玮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管具有结型场效应管区、金属氧化物半导体电容结构、正向二极管区、反向二极管区。本发明提出在金属化阳极和两个P型体区之间集成反向二极管区，抑制器件正向工作时P型体区和P型体区下方的N‑外延层构成的PN结二极管导通，使器件在正向工作时只有单极电流，实现超低反向恢复电荷，从而降低器件的开关损耗，提高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 恢复 电荷 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
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