[发明专利]一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管在审
| 申请号： | 202111434901.8 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114038919A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 高巍;陕晏玮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反向 恢复 电荷 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
1.一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管，包括金属化阴极(1)、N+衬底区(2)、N-外延层(3)和金属化阳极(8)；金属化阴极(1)位于N+衬底区(2)背面，N-外延层(3)位于N+衬底区(2)正面；
其特征在于：所述结型场效应管区(9)包括位于N-外延层(3)中的两个P型体区(4)和位于两个P型体区(4)之间的N-外延层(3)，两个P型体区(4)深度相同，两个P型体区(4)分别通过上方的一个P型轻掺杂区(5)与金属化阳极(8)相连；
结型场效应管区(9)上方中部设有一个金属氧化物半导体电容结构(10)，结型场效应管区(9)和金属氧化物半导体电容结构(10)之间为N-外延层(3)；所述金属氧化物半导体电容结构(10)包括：栅电极(7)、栅电极(7)下方的栅氧化层(6)和位于两个P型体区(4)上方中部的N-外延层(3)；所述栅氧化层(6)位于两个正向二极管区(11)之间的N-外延层(3)的表面；所述栅电极(7)位于栅氧化层(6)表面并与金属化阳极(8)相连；
金属氧化物半导体电容结构(10)两侧设有正向二极管区(11)，正向二极管区(11)包括金属化阳极(8)和P型体区(4)上方的N-外延层(3)；
正向二极管区(11)两侧设有反向二极管区(12)；所述反向二极管区(12)包括金属化阳极(8)和P型轻掺杂区(5)；P型轻掺杂区(5)位于P型体区(4)上方的N-外延层(3)内。
2.根据权利要求1所述的一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管，其特征在于：所述栅氧化层(6)的薄膜厚度在5到20纳米之间。
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