[发明专利](001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法在审
| 申请号： | 202111434899.4 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114156449A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 彭涛;罗永松;张宁;杨亚;陆阳;闫海龙;张梦杰;郑双双 | 申请（专利权）人： | 信阳师范学院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/587;H01M10/052;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京正道智华专利代理事务所(普通合伙) 32396 | 代理人： | 施翔宇 |
| 地址： | 464000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明的一种(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法，包括以下步骤：将聚苯乙烯球溶于无水乙醇中溶解，标记为A；将悬浮液加入去离子水中，搅拌混合，标记为B；将GO加入到去离子水，搅拌混合，标记为C；将溶液A滴加到溶液B中搅拌，离心得到PS@Ti |
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| 搜索关键词： | 001 暴露 tin 纳米 石墨 烯锂硫 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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