[发明专利](001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法

权利要求书

1.一种(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将聚苯乙烯球溶于无水乙醇中，充分搅拌至完全溶解，标记溶液为A；

S2：将Ti₃C₂悬浮液加入去离子水中，充分搅拌混合，标记溶液为B；

S3：将GO加入到去离子水，充分搅拌混合，标记溶液为C；

S4：将溶液A缓慢的滴加到溶液B中，充分搅拌，然后离心得到PS@Ti₃C₂球体；

S5：将PS@Ti₃C₂球体分散到去离子水中，充分搅拌均匀，然后将得到的PS@Ti₃C₂溶液滴加到C溶液中搅拌，形成PS@Ti₃C₂/GO混合溶液；

S6：通过喷雾干燥技术将PS@Ti₃C₂/GO混合溶液制备为粉末状的前驱体；

S7：以三聚氰胺作为氮源氮化时先称取的前驱体和三聚氰胺充分混合，然后在氩气氛围下将混合均匀的粉末放入管式炉中加热后得到由Ti₃C₂衍生的(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯微球簇锂硫正极材料。

2.根据权利要求1所述的一种(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法，其特征在于：步骤S2中的Ti₃C₂悬浮液C的体积为8-12ml，浓度为10-15mg/ml。

3.根据权利要求1所述的一种(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法，其特征在于：步骤S3中加入的GO的体积为5-15ml，浓度为3-8mg/ml。

4.根据权利要求1所述的一种(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法，其特征在于：步骤S6中通过喷雾干燥方法制备前驱体时的温度120-140℃，空气流速500-800ml/h。

5.根据权利要求1所述的的一种(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法，其特征在于：步骤S7中，前驱体和三聚氰胺的质量比为1:20-1:50。

6.根据权利要求1所述的的一种(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法，其特征在于：步骤S7中，在氩气氛围下将混合均匀的粉末放入管式炉中以1.5-2℃/min的速率升温至800-900℃，保温1.5-2.5h。