[发明专利]一种CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种以砷化镓为镓源用CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备金纳米颗粒；将砷化镓粉体及所述衬底相隔置于单开口的耐高温长条形容器内，所述衬底距离所述砷化镓粉体之间的距离为15～17cm；在真空条件下，通入氢气和惰性气体的混合气体后，进行加热，当管式炉内位于所述砷化镓粉体处的温度为900～950℃时，保温1.5～2h，即在所述衬底上制得所述氧化镓纳米片。本发明采用砷化镓为镓源，用单温区管式炉烧制氧化镓纳米片，只需通入一种氢氩混合气，且真空度只需维持在300Pa左右，制备出的氧化镓纳米片表面光滑，纳米片厚度约为10nm左右，且厚度均匀，可重复性高。