[发明专利]一种CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上制备金纳米颗粒；

将砷化镓粉体及所述衬底相隔置于单开口的耐高温长条形容器内，所述衬底置于靠近所述长条形容器开口的一侧，所述衬底将覆有金纳米颗粒的一侧朝向所述砷化镓粉体的一侧倾斜设置；其中，所述衬底距离所述砷化镓粉体之间的距离为15～17cm；

随后将所述长条形容器置于管式炉中，并将所述长条形容器的开口端朝向所述管式炉的出气口，同时将长条形容器位于所述砷化镓粉体放置的部分处置于所述管式炉的中间热源处，在真空条件下，通入氢气和惰性气体的混合气体后，进行加热，当管式炉内位于所述砷化镓粉体处的温度为900～950℃时，保温1.5～2h，即在所述衬底上制得所述氧化镓纳米片。

2.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述长条形容器为石英玻璃管或者瓷舟，其中，所述瓷舟的顶部用瓷片将封住，并在顶部一侧留有开口。

3.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述金纳米颗粒的直径为100～150nm。

4.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述氢气占混合气体中体积的5～10％。

5.根据权利要求4所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述混合气体的流量为5～15sccm。

6.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述管式炉为单温区管式炉。

7.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，向衬底上制备金纳米颗粒是按照以下步骤而制得：

采用真空镀膜仪，在衬底上镀层金纳米薄膜，随后将镀有金纳米薄膜的衬底于真空条件下，在温度为500℃退火8～12min，然后自然冷却到室温，即得硅衬底上制备的金纳米颗粒。

8.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述衬底将覆有金纳米颗粒的一侧朝所述砷化镓粉体倾斜角度设为10～20°。

9.一种权利要求1～8任一项所述的制备方法制得的氧化镓纳米片，其特征在于，所述氧化镓纳米片的厚度为8～12nm。

10.一种权利要求9所述的氧化镓纳米片在制备半导体中的应用。