[发明专利]一种磁存储器及数据销毁方法在审
| 申请号： | 202111412476.2 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114547711A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 金辉;殷家亮 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/80 | 分类号： | G06F21/80;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 唐忠仙;谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁存储器及其数据销毁方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：至少一个通过控制线相连接的销毁层，设置于每个相应销毁层之上的磁隧道结；销毁层接收销毁指令，并将所述销毁指令通过控制线传输至其他各销毁层，以使全部销毁层通过场效应改变相应磁隧道结阻态的方式，销毁磁存储器包对应的数据。至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置，所述线圈用于接收所述销毁指令。可见，本发明的实施例提供了一种磁存储器及数据销毁方法，通过销毁装置产生的场效应，任一销毁层通过场效应更改磁隧道结阻态或对任一磁隧道结进行击穿破坏或与磁隧道结对应的连接电路进行熔断的方式，销毁磁隧道结对应的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁存储器 数据 销毁 方法 | ||
【主权项】：
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