[发明专利]一种磁存储器及数据销毁方法在审
| 申请号: | 202111412476.2 | 申请日: | 2021-11-25 | 
| 公开(公告)号: | CN114547711A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 | 
| 发明(设计)人: | 金辉;殷家亮 | 申请(专利权)人: | 致真存储(北京)科技有限公司 | 
| 主分类号: | G06F21/80 | 分类号: | G06F21/80;G11C11/16 | 
| 代理公司: | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人: | 唐忠仙;谷轶楠 | 
| 地址: | 100191 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 磁存储器 数据 销毁 方法 | ||
1.一种磁存储器,其特征在于,所述磁存储器包括:至少一个通过控制线相连接的销毁层,设置于每个相应销毁层之上或之下的磁隧道结;
所述至少一个销毁层接收销毁指令,并将所述销毁指令通过所述控制线传输至其他各销毁层,以使所述全部销毁层通过场效应改变相应磁隧道结阻态的方式,销毁所述磁存储器对应的数据。
2.根据权利要求1所述的磁存储器,其特征在于,所述磁存储器还包括至少一个连接电路,所述至少一个连接电路用于一一为每个磁隧道结通电;
所述每个磁隧道结对应的连接电路响应该磁隧道结相应销毁层的场效应熔断,以更改所述磁隧道结阻态。
3.根据权利要求1所述的磁存储器,其特征在于,每个所述磁隧道结包括自由层和势垒层,
针对任一磁隧道结,所述磁隧道结的势垒层响应该磁隧道结相应销毁层的场效应失去隔离作用,以更改所述磁隧道结阻态;
对应任一磁隧道结,对所述磁隧道结或所述读取电路破坏的方式,包括:
熔断所述读取电路,以使所述磁隧道结阻态为0或无穷大。
4.根据权利要求2所述的磁存储器,其特征在于,针对所述至少一个销毁层中的任一销毁层,所述销毁层设置有销毁装置,所述销毁装置用于接收销毁指令,以及响应于所述销毁指令对所述销毁层相应的磁隧道结或该磁隧道结对应的读取电路施加场效应,来更改该磁隧道结的阻态,以销毁所述磁隧道结对应的数据。
5.根据权利要求1所述的磁存储器,其特征在于,所述场效应包括以下至少一种:光场、磁场、电场以及热场。
6.根据权利要求4所述的磁存储器,其特征在于,所述销毁装置包括以下至少一种:光场发生器、磁场发生器、电场发生器以及热场发生器。
7.根据权利要求1所述的磁存储器,其特征在于,所述至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置,所述线圈用于接收所述销毁指令。
8.一种数据销毁方法,其特征在于,适用于磁存储器,所述磁存储器包括至少一个通过控制线相连接的销毁层,以及每个销毁层对应的磁隧道结,所述方法包括:
所述至少一个销毁层中的任一销毁层接收销毁指令后,通过所述控制线传输至其他各销毁层;
响应于所述销毁指令,各个所述销毁层对相应的磁隧道结产生场效应;
每个所述磁隧道结响应于所述场效应更改阻态,以销毁所述磁隧道结对应的数据。
9.根据权利要求8所述的数据销毁方法,其特征在于,所述磁存储器还包括至少一个连接电路,所述至少一个连接电路用于一一为每个磁隧道结通电,所述磁隧道结响应于所述场效应更改阻态,包括:
熔断所述磁隧道对应的连接电路,以使所述磁隧道结的阻态为0或无穷大。
10.根据权利要求8所述的数据销毁方法,其特征在于,所述场效应包括:光场、磁场、电场以及热场。
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