[发明专利]背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法在审
| 申请号： | 202111408999.X | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114121774A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程器;彭翔 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，包括：步骤一，提供一半导体器件，所述半导体器件包括正面及背面，所述背面上形成有硅外延层；步骤二，在所述硅外延层上沉积三层结构的复合硬掩膜层；步骤三，进行CDTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述复合硬掩膜层的中间层，得到形成有第一沟槽的第一硬掩膜层；步骤四，进行DTI硬掩膜刻蚀，刻蚀停止至硅外延层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层；步骤五，以第二硬掩膜层为掩膜版，刻蚀所述硅外延层，在硅外延层内同时形成CDTI和DTI结构。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 深沟 隔离 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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