[发明专利]背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法在审
| 申请号： | 202111408999.X | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114121774A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程器;彭翔 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 深沟 隔离 制备 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，包括：
步骤一，提供一半导体器件，所述半导体器件包括正面及背面，所述背面上形成有硅外延层；
步骤二，在所述硅外延层上沉积三层结构的复合硬掩膜层；
步骤三，进行CDTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述复合硬掩膜层的中间层，得到形成有第一沟槽的第一硬掩膜层；
步骤四，进行DTI硬掩膜刻蚀，刻蚀停止至硅外延层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层；
步骤五，以第二硬掩膜层为掩膜版，刻蚀所述硅外延层，在硅外延层内同时形成CDTI和DTI结构。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，所述复合硬掩膜层的由下至上依次为氧化物层、氮化硅层、氧化物层。
3.如权利要求1所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，所述中间层的材料为SiN层。
4.如权利要求1所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，步骤三中CDTI硬掩膜刻蚀的方法为：
在所述复合硬掩膜层的最上层覆盖一层第四掩膜层，并标记CDTI的位置；
刻蚀第四掩膜层，在标记位置处形成第一开口，得到形成有第一开口的第四掩膜层；
以形成有第一开口的第四掩膜层为掩膜版，在所述硬掩膜层的最上层进行CDTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述三层结构的硬掩膜层的中间层；
去除剩余部分的第四掩膜层，得到形成有第一沟槽的第一硬掩膜层。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，步骤四中DTI硬掩膜刻蚀的方法为：
在所述第一硬掩膜层的最上层覆盖一层第五掩膜层，并标记DTI的位置；
刻蚀第五掩膜层，在标记位置处得到第二开口，得到形成有第二开口的第五掩膜层；
以形成有第二开口的第五掩膜层为掩膜版，进行DTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述硅外延层；
去除剩余部分的第五掩膜层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层。
6.如权利要求5所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，所述第五掩膜层包括BARC层和形成在BARC层上的光阻层。
7.如权利要求1所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，步骤五中，具体流程为；
在硅外延层内同时形成CDTI和DTI结构后，湿法去除剩余的第二硬掩膜层。
8.如权利要求1所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽深度大于第一沟槽深度。
9.如权利要求4所述的背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述第四掩膜层为光阻层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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