[发明专利]一种自对准分离栅极结构的制备方法在审
| 申请号： | 202111408259.6 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114068318A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 胡强;杨柯;马克强;王思亮;蒋兴莉 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/331;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种自对准分离栅极结构的制备方法，通过在器件沟槽内引入双分裂的分立栅电极以及栅电极下方的厚绝缘介质层，在不影响IGBT器件开启阈值电压和开通的情况下，大幅降低米勒电容Cgc，提高了器件的开关速度，从而降低器件动态损耗；并且栅下厚绝缘介质层能改善深沟槽底部拐角电场分布，增强沟槽的电场耐受能力，提高栅极鲁棒性。同时在深沟槽中引入分裂栅极，使其具备独立控制的条件，理论上可以实现对每个沟道进行独立控制，一方面避免对相邻P型区域的电势分布产生影响，另一方面可以分步控制沟道的开启和关断过程，实现P‑base区与沟槽区域的解耦设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 分离 栅极 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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