[发明专利]半导体腔室有效
| 申请号： | 202111402282.4 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114107931B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨依龙 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体腔室，半导体腔室包括腔体和设置在腔体中的第一遮挡件和可升降的基座组件，其中，第一遮挡件与腔体的内周壁固定连接，且沿腔体的内周壁的周向设置；基座组件包括基座本体、第二遮挡件和定位结构，基座本体与腔体同轴设置，用于承载晶圆；第二遮挡件沿基座本体的周向设置在基座本体上，基座本体位于上升至工艺位时，第二遮挡件与第一遮挡件部分重叠设置，且第二遮挡件的与第一遮挡件相互重叠的部分位于第一遮挡件背离基座本体的一侧；定位结构设置在基座本体与第二遮挡件之间，用于对基座本体与第二遮挡件的相对位置进行定位。本发明提供的半导体腔室能够避免遮挡晶圆，提高晶圆沉积薄膜的均匀性，从而改善芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
【主权项】：
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