[发明专利]半导体腔室

说明书

本发明提供一种半导体腔室，半导体腔室包括腔体和设置在腔体中的第一遮挡件和可升降的基座组件，其中，第一遮挡件与腔体的内周壁固定连接，且沿腔体的内周壁的周向设置；基座组件包括基座本体、第二遮挡件和定位结构，基座本体与腔体同轴设置，用于承载晶圆；第二遮挡件沿基座本体的周向设置在基座本体上，基座本体位于上升至工艺位时，第二遮挡件与第一遮挡件部分重叠设置，且第二遮挡件的与第一遮挡件相互重叠的部分位于第一遮挡件背离基座本体的一侧；定位结构设置在基座本体与第二遮挡件之间，用于对基座本体与第二遮挡件的相对位置进行定位。本发明提供的半导体腔室能够避免遮挡晶圆，提高晶圆沉积薄膜的均匀性，从而改善芯片性能。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体腔室。

背景技术

在例如物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)工艺中，晶圆8放置在工艺腔室内的基座上，工艺腔室内形成有等离子体，等离子体轰击基座上方的靶材13，使靶材13原子沉积在晶圆8上，从而在晶圆8表面形成所需的薄膜，在进行例如物理气相沉积工艺时，晶圆8需要处于工艺腔室内的一个封闭的工艺环境内，以避免靶材13原子扩散沉积在工艺腔室内壁或者其它零部件上。

如图1所示，现有的一种工艺腔室包括腔室本体11、转接件12、靶材13和基座组件14，基座组件14包括屏蔽件141、遮盖环142、下屏蔽环143、冷却水盘144和顶盘145，其中，转接件12设置在腔室本体11上，靶材13设置在转接件12上，屏蔽件141设置在转接件12上，并沿腔室本体11的周向设置在腔室本体11内，顶盘145设置在冷却水盘144上，冷却水盘144用于冷却顶盘145，下屏蔽环143沿顶盘145的周向设置在顶盘145上，在未进行半导体工艺时，冷却水盘144、顶盘145和下屏蔽环143下降至低位，遮盖环142搭接在屏蔽件141上。在进行半导体工艺时，顶盘145支撑晶圆8，冷却水盘144、顶盘145和下屏蔽环143上升至高位，下屏蔽环143从屏蔽件141上托起遮盖环142，使遮盖环142与屏蔽件141分离，遮盖环142与屏蔽件141之间形成有迷宫结构，从而通过靶材13、屏蔽件141、遮盖环142、下屏蔽和顶盘145共同形成封闭的工艺环境。

但是，由于遮盖环142是人为搭接在屏蔽件141上，只靠肉眼观察，很难保证遮盖环142与屏蔽件141的同心，当冷却水盘144、顶盘145和下屏蔽环143上升至高位，下屏蔽环143从屏蔽件141上托起遮盖环142时，遮盖环142与顶盘145也很难保证同心，遮盖环142可能会遮挡晶圆8的边缘，导致晶圆8的边缘沉积的薄膜很薄甚至未沉积有薄膜，从而影响芯片性能。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体腔室，其能够避免遮挡晶圆，提高晶圆沉积薄膜的均匀性，从而改善芯片性能。

为实现本发明的目的而提供一种半导体腔室，所述半导体腔室包括腔体和设置在所述腔体中的第一遮挡件和可升降的基座组件，其中，

所述第一遮挡件与所述腔体的内周壁固定连接，且沿所述腔体的内周壁的周向设置；

所述基座组件包括基座本体、第二遮挡件和定位结构，所述基座本体与所述腔体同轴设置，用于承载晶圆；所述第二遮挡件沿所述基座本体的周向设置在所述基座本体上，所述基座本体位于上升至工艺位时，所述第二遮挡件与所述第一遮挡件部分重叠设置，且所述第二遮挡件的与所述第一遮挡件相互重叠的部分位于所述第一遮挡件背离所述基座本体的一侧；

所述定位结构设置在所述基座本体与所述第二遮挡件之间，用于对所述基座本体与所述第二遮挡件的相对位置进行定位。

可选的，所述定位结构包括多个第一定位槽、多个第二定位槽和多个定位件，多个所述第一定位槽开设在所述基座本体朝向所述第二遮挡件的一侧面上，多个所述第二定位槽开设在所述第二遮挡件朝向所述基座本体的一侧面上，所述定位件、所述第一定位槽和所述第二定位槽的数量相同并一一对应设置，各所述定位件分别插入至对应的所述第一定位槽和所述第二定位槽中。