[发明专利]一种自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111397386.0 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114188477A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李祎;任升广;倪润;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C28/00 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 王珣珏;方放 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用，该自整流忆阻器阵列包括垂直堆叠于衬底上的第一电极层阵列，所述第一电极层阵列中每个第一电极层上设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的中间开设有沟槽，所述沟槽两侧设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的外围由内至外依次设置低k介质层、高k介质层和第二电极层。本发明通过在第一电极层阵列中设置沟槽，使得形成忆阻器阵列，每个忆阻器由横向依次分布的第一电极、低k介质层、高k介质层和第二电极组成，大大增加了忆阻器的存储密度，同时解决了阵列中漏电流问题，适宜商业上推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流 忆阻器 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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