[发明专利]用于加工半导体晶体管的方法在审
| 申请号： | 202111392488.3 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN114093939A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李源祥 | 申请（专利权）人： | RFHIC公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;敖莲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供拥有漏极场板(140)的高电子迁移率晶体管。漏极场板(140)形成在高电子迁移率晶体管的栅极(118)与漏极(104)之间的区域内。漏极场板(140)包含具有投影区域大于漏极垫(104)的金属垫。漏极场板(140)与设置在漏极场板之下的半导体层(102)形成金属‑半导体(M‑S)肖特基结构。M‑S肖特基结构的电容在半导体区域(102)产生电容，提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的击穿电压。可移除在有源区(203)下的衬底(100)部分，从而提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的热传导性及降低结温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加工 半导体 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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