[发明专利]用于加工半导体晶体管的方法在审
| 申请号： | 202111392488.3 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN114093939A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李源祥 | 申请（专利权）人： | RFHIC公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;敖莲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 加工 半导体 晶体管 方法 | ||
1.一种用于加工半导体晶体管的方法，其特征在于，所述半导体晶体管包含衬底、外延层、及形成在所述外延层上的多个晶体管构件，所述方法包含：
移除设置在所述多个晶体管构件的部分下的所述衬底的部分，从而曝露所述外延层的底表面的部分；
形成绝缘层在所述外延层的所述底表面的所述曝露部分上，所述绝缘层由电绝缘材料制成；
形成从所述绝缘层的底表面延伸至所述多个晶体管构件的至少一个的底表面的至少一个贯通孔；
沉积至少一个金属层在所述绝缘层的所述底表面上、在所述贯通孔的侧壁上及在所述多个晶体管构件的所述至少一个的所述底表面上；以及
施予焊膏在所述至少一个金属层的底表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积至少一个金属层的所述步骤包含：
沉积第一金属层在所述绝缘层的所述底表面上、在所述贯通孔的所述侧壁上及在所述多个晶体管构件的所述至少一个的所述底表面上；以及
沉积第二金属层在所述第一金属层的底表面上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶体管是高电子迁移率晶体管。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含源极。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个金属层有高于所述衬底的热传导性。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含二个或更多的源极，其中所述至少一个贯通孔包含二个或更多的贯通孔，且所述二个或更多的贯通孔的每一个延伸到所述二个或更多的源极中的对应一个的所述底表面。
7.一种用于加工半导体晶体管的方法，其特征在于，所述半导体晶体管包含衬底、外延层、及形成在所述外延层上的多个晶体管构件，所述方法包含：
移除设置在所述多个晶体管构件的部分下的所述衬底的部分，从而曝露所述外延层的底表面的部分；
形成绝缘层在所述外延层的所述底表面的所述曝露部分上，所述绝缘层由电绝缘材料制成；
形成从所述绝缘层的底表面延伸至所述多个晶体管构件的至少一个的底表面的至少一个贯通孔；
沉积第一金属层在所述绝缘层的所述底表面上、在所述贯通孔的所述侧壁上及在所述多个晶体管构件的所述至少一个的所述底表面上；以及
沉积第二金属层在所述第一金属层的底表面上。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包含：
施予焊膏在所述第二金属层的底表面。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体晶体管是高电子迁移率晶体管。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含源极。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层有高于所述衬底的热传导性。
12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含二个或更多的源极，其中所述至少一个贯通孔包含二个或更多的贯通孔，且所述二个或更多的贯通孔的每一个延伸到所述二个或更多的源极中的对应一个的所述底表面。
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