[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111388509.4 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114220915A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;沈鼎瀛;邱泰玮;康赐俊;单利军;张雅君 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 兰海叶 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件通过将阻变层覆盖在凸块结构的外侧，因为在其工艺制备过程中该层不会被蚀刻工艺损伤，所以避免了在电操作过程中由蚀刻工艺破坏形成的强壮且单一导电细丝的可能性。此外，该半导体集成电路器件增加了全面覆盖器件的热保温层(TEL)使得器件更容易形成多条弱导电细丝，从而达到调节脉冲控制电导连续变化的目的，进而可更好地作为模拟型存储器，应用于CIM等场景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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