[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件包括：

凸块结构，所述凸块结构在水平方向设置有介质层；

第一热保温层，位于所述凸块结构的下方；

阻变层，覆盖在所述凸块结构的顶部和侧壁外部；

第二热保温层，覆盖在所述阻变层的顶部和侧壁外部，

与所述第一热保温层共同形成对所述阻变层和所述凸块结构的全覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述凸块结构还包括：

储氧层，位于所述介质层下方。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件还包括第一金属层和第二金属层，

所述第一金属层与所述第一热保温层连接；

所述第二金属层与所述第二热保温层连接。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述第一热保温层位于所述阻变层的内侧，

相应地，所述第一金属层与所述第一热保温层连接，包括：

所述第一金属层连接通过通孔与所述第一热保温层连接。

5.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述第一热保温层位于所述阻变层的下方，

相应地，所述第一金属层与所述第一热保温层连接，包括：所述第一金属层连接直接与所述第一保温层连接。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述热保温层的材料包括氮化钽TaN。

7.一种半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

获取带有第一金属层的衬底；

在所述第一金属层之上形成第一热保温层；

在所述第一热保温层之上形成在水平方向设置有介质层的凸块结构；

在所述凸块结构的上方形成阻变层，使所述阻变层覆盖在所述凸块结构的顶部和侧壁外部；

在所述阻变层的上方形成第二热保温层，使所述第二热保温层覆盖在所述阻变层的顶部和侧壁外部；

对所述覆盖有所述阻变层和所述第二热保温层的凸块结构进行隔断处理，使隔断发生于所述凸块结构外围的平坦处以确保所述凸块结构侧壁外部的阻变层和第一热保温层完整无损。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述对所述覆盖有所述阻变层和所述第二热保温层的凸块结构进行隔断处理之后，所述方法还包括：

在所述覆盖有所述阻变层和所述第二热保温层的凸块结构之上制造第二金属层与所述第二热保温层连接。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一金属层之上形成第一热保温层，包括：

在所述第一金属层之上形成通孔；

在所述通孔之上形成第一热保温层。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述热保温层的材料包括氮化钽TaN，相应地，形成热保温层的工艺包括：物理气相沉积工艺PVD，化学气相沉积工艺CVD，或原子层沉积工艺ALD。