[发明专利]一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 202111385709.4 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114086180A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 何毅烽 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/24;C09K13/08;C09K13/10;H01L21/77;H01L21/306;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨瑞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法，所述蚀刻液包括以下组分：10～20％质量百分比的过氧化氢；0.05～5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～2％质量百分比的氟化物组合物；0.5～5％质量百分比的硅蚀刻助剂；2～10％质量百分比的蚀刻添加剂；以及溶剂。所述蚀刻液对于源漏极层的铜/钼、铜/钛或铜/钼钛金属层有着蚀刻性能优异的效果且成本低，在保持器件高寿命的同时，可以蚀刻半导体层并降低金属残残留，从而降低后续干蚀刻制程带来的问题，甚至可以直接省去半导体层的干蚀刻制程，进而降低制作成本并且提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 使用 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司，未经TCL华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111385709.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种链轨节生产用热处理装置
- 下一篇：一种自动折弯装置
