[发明专利]一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法

说明书

一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法，所述蚀刻液包括以下组分：10～20％质量百分比的过氧化氢；0.05～5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～2％质量百分比的氟化物组合物；0.5～5％质量百分比的硅蚀刻助剂；2～10％质量百分比的蚀刻添加剂；以及溶剂。所述蚀刻液对于源漏极层的铜/钼、铜/钛或铜/钼钛金属层有着蚀刻性能优异的效果且成本低，在保持器件高寿命的同时，可以蚀刻半导体层并降低金属残残留，从而降低后续干蚀刻制程带来的问题，甚至可以直接省去半导体层的干蚀刻制程，进而降低制作成本并且提高器件稳定性。

【技术领域】

本申请涉及蚀刻领域，特别涉及一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法。

【背景技术】

在高世代的液晶显示器(thin-film transistor,TFT)中，阵列基板上一般有五层结构，分别是栅级层、半导体层、源漏极层、钝化层和像素电极层。在常规的阵列基板制程工艺中，每一层膜都会经过成膜，涂布，曝光，蚀刻，去光阻等主要步骤才能形成特定走线图案。其中，栅级层、源漏极层和氧化铟锡层为金属/金属氧化物，通常采用蚀刻液进行湿蚀刻制程，而半导体层和钝化层通常采用等离子体进行干蚀刻制程。在源漏极层蚀刻过程中，蚀刻液会与半导体层接触，常规情况下，需要保证蚀刻液不伤害到半导体层。

在实际工艺过程中，若能使得蚀刻液在蚀刻源漏极层(通常包括铜、钼、钛等金属)时，同时蚀刻半导体层(通常包括a-Si及SiNx)，则可以减少后续干蚀刻时间，甚至直接省去干蚀刻制程。由此带来的优点是湿蚀刻较为稳定温和，可降低后续干蚀刻制程带来的一些问题(如在等离子气体作用下诱导腐蚀，产生凹坑，导致电性不良)，同时，减少或省去干蚀刻制程，可以大大提高产能，降低生产成本。

此外，为了增加开态电流和降低关态电流，源漏极层的源极和漏极间的沟道在允许范围内越窄越好，即铜/钼膜层线宽要尽量长。在此条件下，蚀刻液对铜/钼膜层的蚀刻时间就要减小，所以容易造成钼的残留，钼残的存在，容易造成电极间短路或电弧等问题，因此，如何在不产生上述问题的情况下同时对源漏极层和半导体层进行蚀刻成为了阵列基板制程中的一大难题。

【发明内容】

为了在尽量避免金属线残留的情况下同时蚀刻阵列基板的源漏极层及半导体层，本申请提供一种蚀刻液，包括以下组分：10～20％质量百分比的过氧化氢；0.05～5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～2％质量百分比的氟化物组合物；0.5～5％质量百分比的硅蚀刻助剂；2～10％质量百分比的蚀刻添加剂；以及溶剂。

更进一步地，所述蚀刻抑制剂包括杂环化合物。

更进一步地，所述蚀刻抑制剂包括噻吩、苯并三氮唑、羟基苯并三氮唑、5-氨基-四氮唑、氨基四唑、吲哚、嘌呤、嘧啶、1,3-噻唑或吡咯。

更进一步地，所述氟化物组合物包括氟化钠、氟化钾、氢氟酸、氟化氨、氟化铝、氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾或氟硼酸。

更进一步地，所述氟化物组合物包括氟化物和氟化氢物。

更进一步地，所述硅蚀刻助剂包括硝酸，硫酸、盐酸或磷酸。

更进一步地，所述蚀刻添加剂包括丙二酸、丁二酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、酒石酸、对氨基苯磺酸、氨基磺酸、琥珀酸、苹果酸、苯甲酸、柠檬酸、磺基水杨酸、水杨酸丙氨酸、甘氨酸或精氨酸。

更进一步地，所述蚀刻液还包括酸碱值调节剂，所述酸碱值调节剂包括异丙醇胺、环丙胺、二异丙胺，异丁胺、乙醇胺、三乙胺、N-乙基乙醇胺、无机碱氢氧化钠、氢氧化钾、氨水或磷酸氢二铵。

更进一步地，所述蚀刻液之酸碱值为2～5。