[发明专利]集成启动装置的MOSFET结构及制造方法有效
| 申请号： | 202111382057.9 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114093866B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 徐永年;杨世红 | 申请（专利权）人： | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京前审知识产权代理有限公司 11760 | 代理人： | 张静;李亮谊 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成启动装置的MOSFET及方法，其中，N‑外延层层叠于N+衬底的上表面以形成第一导电区，第一导电区蚀刻多个间隔排列的沟槽，P柱生成于沟槽以形成第二导电区，第二导电区和第一导电区交替排列的区域化学气相淀积一层第二N‑外延层，多个P阱经由P型离子注入于第二N‑外延层形成，MOSFET的多晶硅栅极淀积于MOSFET的栅氧化层上，其中，多晶硅电阻作为启动电阻，形成于场氧化层上，MOSFET的源极在接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 启动 装置 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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