[发明专利]集成启动装置的MOSFET结构及制造方法

权利要求书

1.一种用于制造集成启动装置的MOSFET的方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S100、提供N+衬底（1），并在N+衬底（1）的上表面层叠N-外延层（2）以形成第一导电区；

S200、在N-外延层（2）上光刻限定沟槽区域，通过干法蚀刻工艺对沟槽区域蚀刻以形成多个间隔排列的沟槽，并在多个所述沟槽中化学气相淀积P型外延后通过化学机械研磨工艺去除顶部多余的P型外延以形成多个P柱（3），其中，多个所述P柱（3）构成第二导电区，并且，在第二导电区和第一导电区交替排列的区域上化学气相淀积一层第二N-外延层（14），并对第二N-外延层（14）进行光刻以限定出P型离子注入区域，再对P型离子注入区域进行离子注入形成P阱（4）；

S300、在第二N-外延层（14）整体表面上通过热氧化工艺形成场氧化层（5），并在场氧化层（5）的部分区域经由湿法蚀刻限定出MOSFET的有源区，之后，去除MOSFET的有源区的场氧化层（5），然后在去除了场氧化层（5）的MOSFET的有源区的第二N-外延层（14）表面上进行第二次热氧化工艺形成MOSFET的栅氧化层（6）；

S400、在场氧化层（5）和MOSFET的栅氧化层（6）上淀积未掺杂的多晶硅形成MOSFET的栅氧化层（6）上的MOSFET的多晶硅栅极（7）以及形成场氧化层（5）上的多个多晶硅电阻（8）；其中，步骤S400还包括如下子步骤：

对未掺杂的多晶硅进行离子注入并退火，以降低多晶硅的电阻率；

S500、离子注入所述MOSFET的有源区的第二N-外延层（14），再进行热退火对注入离子进行激活以形成源极N+（9）；

S600、在MOSFET的有源区、MOSFET的栅氧化层（6）、多个多晶硅电阻（8）及MOSFET的多晶硅栅极（7）上，用化学气相淀积工艺淀积无掺杂的硅玻璃和含有硼磷的硅玻璃形成中间介质层（13），并且，在中间介质层（13）上干法蚀刻出多个接触孔（10），然后，在所述接触孔（10）中经由离子注入后气相淀积金属形成MOSFET的源极（11）；

S700、对N+衬底（1）进行减薄并蒸镀金属形成MOSFET的漏极（12）；

所述集成启动装置的MOSFET用于AC-DC开关电源系统，所述集成启动装置的MOSFET包括：

N+衬底（1）包括MOSFET的漏极（12）；

N-外延层（2）层叠于所述N+衬底（1）的上表面以形成第一导电区，其中，所述第一导电区蚀刻有多个间隔排列的沟槽；

所述多晶硅电阻（8）一端与所述MOSFET的多晶硅栅极（7）电性连接，所述多晶硅电阻（8）另一端与所述MOSFET的漏极（12）电性连接；

中间介质层（13），其层叠于MOSFET的有源区、MOSFET的栅氧化层（6）、多个多晶硅电阻（8）及MOSFET的多晶硅栅极（7）上，

所述多晶硅电阻（8）的数量大于等于10，每两个相邻的多晶硅电阻（8）的宽度相等，每两个相邻的多晶硅电阻（8）的距离相等。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

N-外延层（2）的沟槽宽度为4-7μm，沟槽深度为30-45μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

MOSFET的栅氧化层（6）的厚度为1000-1200Å。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

源极N+（9）的注入区域采用的离子注入杂质类型为砷，能量在60-100KeV，注入剂量在4E15-8E15/cm²。