[发明专利]一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法在审
| 申请号： | 202111369309.4 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114181703A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 戈士勇;何珂;展红峰 | 申请（专利权）人： | 江苏中德电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/02 | 分类号： | C09K13/02;C07D265/30 |
| 代理公司： | 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 | 代理人： | 王德洋 |
| 地址： | 214400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路用的硅蚀刻液，属于刻蚀液制备技术领域，包括以下质量百分比的原料：18‑25％份四甲基氢氧化铵、2‑3％氢氧化钾、0.3‑0.5％催化剂、0.1％助剂、0.1％金属捕集剂、0.05‑0.1％表面活性剂，余量为去离子水；本发明还公开该硅蚀刻液的制备方法，将配方中的原料按比例混合即可，本发明以四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、助剂和金属捕集剂为主料原料；采用有机碱和无机碱结合，提高硅蚀刻速率，加入助剂减少硅蚀刻过程中会氢气气泡的产生，加入金属捕集剂对蚀刻液中的金属离子进行捕集，防止金属离子的沉积，减少蚀刻基板上被腐蚀的金属离子对硅蚀液的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 蚀刻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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