[发明专利]一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：18-25％份四甲基氢氧化铵、2-3％氢氧化钾、0.3-0.5％催化剂、0.1％助剂、0.1％金属捕集剂、0.05-0.1％表面活性剂，余量为去离子水；

其中，助剂由以下步骤制成：

步骤A1、将含氢硅油、甲基丙烯酸缩水甘油醚和无水乙醇混合，通入氮气搅拌10-15min，将体系温度升高至70-80℃，加入氯铂酸，保温反应4-5h，减压蒸馏，得到中间产物1；

步骤A2、氮气保护下，向三口烧瓶中加入中间产物1、全氟三丁胺和无水乙醇，升温至60-70℃，搅拌反应3-4h，加入冰醋酸调节体系pH值6-7，反应4-8h后，减压蒸馏，得到助剂。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤A1中含氢硅油中的Si-H含量为0.27-0.4％。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤A1中无水乙醇的用量为含氢硅油和甲基丙烯酸缩水甘油醚总质量的20-30％。

4.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤A1中氯铂酸的用量为含氢硅油和甲基丙烯酸缩水甘油醚总质量的0.05-0.1％。

5.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，金属捕集剂由以下步骤制成：

步骤B1、向三口烧瓶中加入THF和3-羧基吗啉，加入质量分数10％的氢氧化钠溶液，冰水浴条件下，滴加二硫化碳的THF溶液，升温至室温，搅拌反应2h，滴加氯乙醇的THF溶液，升温至45℃，搅拌反应2h，冷却至室温，加入冰醋酸调节pH值为6-7，减压蒸馏，得到中间体1；

步骤B2、将乙二胺四乙酸二酐、中间体1、4-二甲氨基吡啶和无水吡啶混合，功率为300W、温度110℃下微波反应30min，冷却后，蒸馏，蒸馏产物加入乙醚中研磨后转移至去离子水中，加入柠檬酸溶液调节pH值至5.0，于4℃冰箱中放置48h，过滤，滤饼洗涤，干燥，得到金属捕集剂。

6.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤B1中二硫化碳的THF溶液由二硫化碳和THF按照0.1mol：19mL混合而成。

7.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤B1中氯乙醇的THF溶液由氯乙醇和THF按照0.1mol：15mL混合而成。

8.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤B2中乙二胺四乙酸二酐、中间体1、4-二甲氨基吡啶和无水吡啶的用量比为6mmol：12mmol：0.3-0.5g：15-20mL。

9.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C_m-O-(CH₂CH₂O)_nH，其中m＝12-18，n＝15-16。

10.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

向混配釜中加入四甲基氢氧化铵，转速100-200r/min搅拌条件下，加入氢氧化钾、催化剂、助剂、金属捕集剂、表面活性剂和去离子水，搅拌混合25-35min后，得到集成电路用的硅蚀刻液。