[发明专利]一种沟槽侧壁集成SBD结构的FRD器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111365408.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113808940A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 胡兴正;钱康;何军;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 钱丽 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽侧壁集成SBD结构的FRD器件及其制造方法。该方法包括在衬底上侧依次制作缓冲层和外延层，在外延层内由内向外依次制作P阱、P环和N截止环，在P环和N截止环内端的上侧以及P环内侧至N截止环内端之间的外延层上侧制作场氧层，在P阱及其下侧的外延层内刻蚀形成若干沟槽，在沟槽下侧的外延层内制作P型埋层，在沟槽的底部上侧长氧化层，在氧化层上侧的沟槽的侧壁上制作形成肖特基势垒。本发明结合了SBD二极管和FRD二极管的优点，制作出正向压降低且软快恢复参数优异的快恢复FRD，且在沟槽底部引入P型埋层和氧化层结构，在器件加反向偏压时可引入横向电场，快速夹断，保护肖特基器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 侧壁 集成 sbd 结构 frd 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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