[发明专利]存储器件及其制作方法

摘要

本发明提供存储器件及其制作方法，采用热处理工艺，使位于接触窗口上方的部分厚度的半浮栅材料层的材质由多晶硅转化为单晶硅；转化的区域定义为类凸体。本发明另辟蹊径，采用热处理方法形成类凸体，避免了常规刻蚀形成凸体工艺中，由于多晶硅层与衬底蚀刻选择比很小，很难控制刻蚀工艺精度，导致的半浮栅晶体管失效。本发明半浮栅材料层和漏区仅仅通过类凸体相连，漏电路径的面积仅为可精确控制的类凸体的物理宽度；类凸体中的内建势垒可以阻止半浮栅材料层和漏区之间在非工作状态的载流子扩散。从而，将大大减少半浮栅中存贮电荷的泄漏，提高了存储信息的稳定性。