[发明专利]存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，其包括存储单元区，所述存储单元区的所述衬底上表面一侧预设有共用源区、位于所述共用源区两侧的第一漏区和第二漏区；

在所述存储单元区的所述衬底上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层中形成有暴露出所述衬底的第一接触窗口和第二接触窗口，所述第一接触窗口位于所述共用源区和所述第一漏区之间，所述第二接触窗口位于所述共用源区和所述第二漏区之间；

形成半浮栅材料层，所述半浮栅材料层覆盖所述第一接触窗口和所述第二接触窗口暴露出的所述衬底，还覆盖位于所述第一接触窗口和所述第二接触窗口之间的所述栅极绝缘层；所述半浮栅材料层的材质为多晶硅；

执行热处理工艺，使位于所述第一接触窗口和所述第二接触窗口上方的部分厚度的所述半浮栅材料层的材质由所述多晶硅转化为单晶硅；转化的区域定义为类凸体。

2.如权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述热处理的温度范围为1000℃～1200℃。

3.如权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述衬底还包括外围区，所述外围区分布有有源区；所述热处理工艺包括热氧化工艺，在所述外围区的所述有源区的所述衬底表面生长栅氧化层。

4.如权利要求3所述的存储器件的制作方法，其特征在于，执行所述热氧化工艺之后还包括：

采用等离子体氮化工艺向所述栅氧化层中掺杂氮；以及

采用高温退火工艺稳定所述氮掺杂及修复所述栅氧化层中的等离子体损伤。

5.如权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，

提供所述衬底包括：在所述衬底中掺杂第二掺杂类型的离子形成阱区；在所述阱区中掺杂第一掺杂类型的离子形成掺杂区，所述掺杂区从所述阱区内部延伸至所述衬底的上表面，所述共用源区和所述第一漏区和所述第二漏区均形成于所述掺杂区的顶部；

形成半浮栅材料层包括，在所述半浮栅材料层中掺杂所述第二掺杂类型的离子。

6.如权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，在形成所述栅极绝缘层之前，还包括在所述共用源区和所述第一漏区之间的衬底中形成第一沟槽，并在所述共用源区和所述第二漏区之间的衬底中形成第二沟槽；所述第一接触窗口位于所述第一漏区和所述第一沟槽之间，所述第二接触窗口位于所述第二漏区和所述第二沟槽之间。

7.如权利要求6所述的存储器件的制作方法，其特征在于，在形成所述栅极绝缘层和所述浮栅材料层之后，所述栅极绝缘层还覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面，所述浮栅材料层覆盖所述栅极绝缘层并填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。

8.如权利要求1至7任意一项所述的存储器件的制作方法，其特征在于，形成所述半浮栅材料层之后，执行热处理工艺之前，还包括：

形成栅间介质层，所述栅间介质层至少覆盖所述浮栅材料层的上表面和侧表面。

9.如权利要求8所述的存储器件的制作方法，其特征在于，执行热处理工艺之后，还包括：

形成控制栅材料层，所述控制栅材料层覆盖所述栅间介质层；

刻蚀所述共用源区的所述控制栅材料层、所述栅间介质层和所述浮栅材料层，以及刻蚀所述第一漏区和所述第二漏区的所述控制栅材料层；剩余的所述控制栅材料层、所述栅间介质层以及所述浮栅材料层在所述第一漏区和所述共用源区之间的部分构成第一栅极叠层，在所述第二漏区和所述共用源区之间的部分构成第二栅极叠层；以及，

在所述第一栅极叠层和所述第二栅极叠层的侧壁形成侧墙，并进行离子注入，对应于所述共用源区在所述衬底中形成共用源极，对应于所述第一漏区在所述衬底中形成第一漏极，对应于所述第二漏区在所述衬底中形成第二漏极。