[发明专利]一种用于STT-MRAM的混合型写入结构及写入方法在审
| 申请号： | 202111337304.3 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114121069A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;成关壹 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于STT‑MRAM的混合型写入结构及写入方法，属于计算机存储技术领域。本发明的混合型写入结构通过两个晶体管并联，并调节晶体管的宽度来适当控制流过MTJ的电流的减小幅度，以增加STT‑MTJ的使用寿命。进一步，由于MTJ器件的寿命受电压影响较大，电压越高，寿命越短，故本发明提出的一种采用双电源的混合型写入结构，在所述STT‑MRAM的不同写入操作提供不同的写入电压，并通过在STT‑MRAM写入操作时使第一写入电压大于第二写入电压，以使得所述STT‑MRAM在写“0”操作时，流过所述STT‑MTJ的电流更小，同时实现低电压写入，能够进一步增加STT‑MTJ的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 stt mram 混合 写入 结构 方法 | ||
【主权项】：
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