[发明专利]太赫兹探测装置的制造方法及探测设备有效
| 申请号: | 202111335830.6 | 申请日: | 2021-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN113782644B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 赵自然;姜寿禄;马旭明 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司;北京神目科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0232;G01J1/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张琛 |
| 地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种太赫兹探测装置的制造方法和探测设备,可以应用于太赫兹检测技术领域。本发明实施例的太赫兹探测装置包括呈阵列排布的检测器和透镜,该制造方法包括:通过双面光刻工艺在衬底基板的第一表面的第一区域光刻出多个检测器,形成检测器阵列,在衬底基板的第一表面的第二区域设置至少一个第一对准标记;通过双面光刻工艺在衬底基板的第二表面的第三区域光刻出多个透镜安装部,在衬底基板的第二表面的第四区域设置至少一个第二对准标记;将透镜安装至透镜安装部以形成探测装置;通过双面光刻机将第一对准标记与第二对准标记进行对准,以使检测器的中心与透镜安装部的中心的偏移量在设定阈值,有效提高透镜与检测器的安装精度。 | ||
| 搜索关键词: | 赫兹 探测 装置 制造 方法 设备 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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