[发明专利]太赫兹探测装置的制造方法及探测设备有效
| 申请号: | 202111335830.6 | 申请日: | 2021-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN113782644B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 赵自然;姜寿禄;马旭明 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司;北京神目科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0232;G01J1/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张琛 |
| 地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 赫兹 探测 装置 制造 方法 设备 | ||
1.一种太赫兹探测装置的制造方法,其特征在于,所述探测装置包括呈阵列排布的检测器和透镜,所述制造方法包括:
通过双面光刻工艺在衬底基板的第一表面的第一区域光刻出多个所述检测器,形成检测器阵列,在所述衬底基板的第一表面的第二区域设置至少一个第一对准标记;
通过双面光刻工艺在衬底基板的第二表面的第三区域光刻出多个透镜安装部,在所述衬底基板的第二表面的第四区域设置至少一个第二对准标记;
将所述透镜安装至所述透镜安装部以形成所述探测装置;
其中,在所述第一对准标记设置后以及在所述第二对准标记设置前,通过双面光刻机确定所述第二对准标记的设置位置,完成所述第一对准标记和所述第二对准标记的对准,以使所述检测器的中心与所述透镜安装部的中心的偏移量在设定阈值。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述检测器在所述衬底基板上的投影位于所述透镜安装部在所述衬底基板上的投影内。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述检测器包括敏感单元和检测天线,所述检测器的中心与所述敏感单元的中心重合。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述通过双面光刻工艺在衬底基板的第二表面的第三区域光刻出多个透镜安装部包括:
在所述衬底基板的第二表面涂覆光刻胶,所述光刻胶的涂覆厚度在3微米至5微米的范围;
对所述光刻胶进行烘干、曝光和显影;
对所述衬底基板进行刻蚀,以形成透镜安装部。
5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述在所述衬底基板的第二表面涂覆光刻胶包括:
在所述衬底基板预涂所述光刻胶,所述预涂的转速为500至700转/分钟,所述预涂的时间为5至7秒;
在预涂完成后,进行二次涂覆,所述二次涂覆的转速为5000至6000转/分钟,所述二次涂覆的时间为15至25秒。
6.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述烘干包括第一次烘干和第二次烘干;
所述第一次烘干的时间为1.8至2.2分钟,所述第一次烘干的温度为95至105摄氏度范围内;
所述第二次烘干的时间为0.8至1.2分钟,所述第二次烘干的温度为85至95摄氏度范围内。
7.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述曝光的时间为6至8秒,所述显影的时间为30至40秒。
8.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述透镜在所述衬底基板的投影为圆形,
所述透镜安装部的内径大于所述透镜的外径;
所述透镜安装部的内径与所述透镜的外径的差值小于或等于5微米。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述透镜安装部的靠近所述衬底基板一侧的内径小于所述透镜安装部的远离所述衬底基板一侧的内径。
10.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述透镜安装部的刻蚀深度大于或等于30微米。
11.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,通过感应耦合等离子体刻蚀机对所述衬底基板进行刻蚀。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的制造方法,其特征在于,所述透镜的类型包括次半球透镜、半球透镜和超半球透镜中的至少一种。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的制造方法,其特征在于,在将所述透镜安装至所述透镜安装部以形成所述探测装置之后,还包括:
在所述透镜与所述衬底基板的连接处涂覆粘合剂,以将所述透镜固定在所述衬底基板上;或者
在所述衬底基板上安装固定件,以将所述透镜固定在所述衬底基板上。
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