[发明专利]二维材料异质结浮栅存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种二维材料异质结浮栅存储器，包括：栅层；绝缘层，覆盖在栅层上；多个浮栅层，形成在绝缘层上，多个浮栅层中的相邻两个之间有间隔；阻挡层，形成在多个浮栅层上；沟道层，形成在阻挡层上；电极层，包括多个源极和多个漏极，与每个间隔对应的沟道层上设置有源极或漏极，相邻两个漏极之间设置有一个源极；每个浮栅层包括允许存储电子和释放电子的允许状态，及禁止存储电子和释放电子的禁止状态；向栅层施加储存偏压，沟道层的电子隧穿进入处于允许状态的浮栅层，处于允许状态的浮栅层存储电子，处于禁止状态的浮栅层不存储电子；向栅层施加释放偏压，处于允许状态的浮栅层存储的电子隧穿回到沟道层，处于允许状态的浮栅层释放电子。