[发明专利]一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺

摘要

本发明公开一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺，本方法在铁电存储器成长功能层之前进行预退火，在生长上电极之后进行后退火；所述预退火是指将待成长功能层的存储器放入退火炉中，在氮气的氛围下，用速度V1升温，温度到达200‑500摄氏度之间时，保持时间T1，T1之后，快速退火，当温度退到40‑60摄氏度时，取出待成长功能层的存储器；后退火是指将生长好上电极的存储器放入退火炉内，在氮气的氛围下，用速度V2升温，温度到达400‑700摄氏度之间时，保持时间T2，T2之后，快速退火，当温度推到40‑60摄氏度时，取出生长好上电极的存储器。本发明相对于不做预退火的功能层，能够有更大的存储窗口。