[发明专利]一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺

权利要求书

1.一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：本方法在铁电存储器成长功能层之前进行预退火，在生长上电极之后进行后退火；

所述预退火是指将待成长功能层的存储器放入退火炉中，在氮气的氛围下，用速度V1升温，温度到达200-500摄氏度之间时，保持时间T1，T1之后，快速退火，当温度退到40-60摄氏度时，取出待成长功能层的存储器；

后退火是指将生长好上电极的存储器放入退火炉内，在氮气的氛围下，用速度V2升温，温度到达400-700摄氏度之间时，保持时间T2，T2之后，快速退火，当温度推到40-60摄氏度时，取出生长好上电极的存储器。

2.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：V1=（15-20）摄氏度每秒。

3.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于： V2=（15-20）摄氏度每秒。

4.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：T1= 30-90秒。

5.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：T2= 30-90秒。

6.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：预退火和后退火的快速退火是指在60秒时间内将保持温度退到40-60摄氏度。

7.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：在预退火之前制备下电极和预退火插层，先在硅基或者二氧化硅的衬底上通过磁控溅射的方式生成出下电极，然后在下电极上通过原子层沉积的方式制备出0.5纳米到5纳米之间的预退火插层，制备完成后的衬底、下电极、预退火插层一起放入退火炉内进行预退火。

8.根据权利要求7所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：预退火之后制备功能层和上电极，功能层是在预退火插层之上通过原子层沉积的方式成长一层3-20纳米的存储层，形成功能层之后，在功能层上滴入光刻胶并放在匀胶机上转动一段时间，再光刻，光刻后烘干、显影、清洗，清洗完的样品放入磁控溅射仪器，生长一定厚度的氮化钛、钨或者铂金当做上电极，之后进行光刻胶的清洗，最后进行后退火。

9.根据权利要求8所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：预退火插层和功能通过脉冲循环的方式进行磁控溅射，单次脉冲循环长大0.9-1.1纳米，预退火插层在每次脉冲循环内溅射氧化锆，功能层的每次脉冲循环包括五个氧化铪脉冲循环加五个氧化锆脉冲循环。

10.根据权利要求1-9任一项所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：本工艺适用于铁电存储器或铁电晶体管的栅结构。