[发明专利]一种基于电沉积技术的FAPbI3 在审
| 申请号： | 202111324477.1 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114023882A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 任宽宽;李强;李春鹤;方泽波 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L21/02 |
| 代理公司： | 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 | 代理人： | 丁建清 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于电沉积技术的FAPbI |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 沉积 技术 fapbi base sub | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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