[发明专利]一种基于电沉积技术的FAPbI3 在审
| 申请号: | 202111324477.1 | 申请日: | 2021-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN114023882A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 任宽宽;李强;李春鹤;方泽波 | 申请(专利权)人: | 绍兴文理学院 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L21/02 |
| 代理公司: | 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 | 代理人: | 丁建清 |
| 地址: | 312000 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 沉积 技术 fapbi base sub | ||
1.一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池,其特征在于,包括:
透明导电衬底;
电子传输层,置于所述透明导电衬底上;
钙钛矿FAPbI3层,置于所述电子传输层上;
空穴传输层,置于所述钙钛矿层上;
金属电极,置于所述空穴传输层上。
2.根据权利要求1所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池,其特征在于,所述透明导电衬底为ITO或者FTO衬底。
3.根据权利要求1所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池,其特征在于,所述电子传输层为SnO2、TiO2、CdS中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿FAPbI3层由电沉积在电子传输层上的PbO2薄膜和旋涂在PbO2薄膜表面的FAI薄膜快速反应制得。
5.一种根据权利要求1-4中任意一项所述的基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池的快速制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:在透明导电衬底上旋涂电子传输层并退火;
步骤2:在电子传输层上电沉积PbO2薄膜;
步骤3:在PbO2薄膜上旋涂FAI溶液后退火;
步骤4:在钙钛矿FAPbI3层上旋涂空穴传输层;
步骤5:在空穴传输层上蒸镀金属电极。
6.根据权利要求5所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池的快速制备方法,其特征在于,步骤1中电子传输层的旋涂时间为30~60s,转速为4000~6000rpm,退火温度为150~180℃。
7.根据权利要求5所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池的快速制备方法,其特征在于,步骤2中采用的电沉积液为Pb(CH3COO)2和NaNO3混合的酸性水溶液;电沉积电压为1.5~2V,沉积时间为3~20s。
8.根据权利要求5所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池的快速制备方法,其特征在于,所述步骤3中,FAI溶液的溶剂为异丙醇,浓度为30~90mg/mL,旋涂速度1000~6000rpm,旋涂时间为30~60s;旋涂FAI溶液后的退火温度为100~150℃,退火时间为2~100s。
9.根据权利要求5所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池的快速制备方法,其特征在于,所述空穴传输层为Spiro-OMeTAD、P3HT、PTAA中的至少一种。
10.根据权利要求5所述的一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池及其快速制备方法,其特征在于,所述金属电极为金、银、铝中的至少一种。
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