[发明专利]垂直结构深紫外LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202111316647.1 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN116093227A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 邓彪;刘乐功;熊文浚;吕小翠;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 | 申请（专利权）人： | 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/02;H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 528000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED结构及其制作方法。所述垂直结构深紫外LED结构包括外延层，该外延层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层等；该外延层具有相背对的第一、第二面，该第二面远离该第一导电半导体层设置，该第二面上还开设有至少一个第二沟槽，第二沟槽的槽底面分布在该外延层的第一面上，第二沟槽的槽底面上覆盖有保护层，同时第二沟槽内还填充有应力匹配材料。本发明可以有效防止或消除在去外延衬底时因外延层应力过大导致外延层脱落等问题，同时还可以显著改善深紫外LED器件水平方向的出光，提升光提取效率，并且还有助于有效降低器件侧壁漏电的风险，大幅提升器件生产良率及改善器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 深紫 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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