[发明专利]垂直结构深紫外LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直结构深紫外LED结构，包括外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与第一电极电连接，所述第二导电半导体层与第二电极电连接；

其特征在于：所述外延层具有相背对的第一面和第二面，所述第二面远离所述第一导电半导体层设置，所述第二面上还开设有至少一个第二沟槽，所述第二沟槽的槽底面分布在所述外延层内或所述第一面上，至少在所述第二沟槽的槽底面上覆盖有保护层，同时所述第二沟槽内还填充有应力匹配材料。

2.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外LED结构，其特征在于：所述第二沟槽的内壁上还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层连续覆盖第二沟槽内壁、保护层和第二导电半导体层，并且所述第二绝缘层经键合层与键合衬底连接。

3.根据权利要求2所述的垂直结构深紫外LED结构，其特征在于：所述第二绝缘层上还连续覆盖有第二反射层，所述应力匹配材料分布于所述第二反射层和键合层之间；

和/或，所述第二沟槽的槽壁倾斜设置并与所述外延层的第一面或第二面形成30-60°的夹角；

和/或，所述第二电极分布于所述第二绝缘层和第二导电半导体层之间，且所述第二电极与第二导电半导体层电性结合；

和/或，所述第二电极还用于形成第一反射层；

和/或，所述第二导电半导体层还覆盖有第一绝缘层；

和/或，所述外延层的第二面上还开设有至少一个第一沟槽，所述第一沟槽的槽底面分布在所述第一导电半导体层内部或所述第一导电半导体层表面，所述第一电极至少部分设置在所述第一沟槽内并与第一导电半导体层电性接触；

和/或，所述外延层还包括缓冲层，所述第一导电半导体层形成在所述缓冲层的一侧表面上，所述缓冲层的另一侧表面为所述第一面。

4.根据权利要求3所述的垂直结构深紫外LED结构，其特征在于：所述第一沟槽的内壁上还覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层连续延伸至第二导电半导体层表面。

和/或，所述第一电极设置在所述第一沟槽内并与第二反射层接触；

和/或，所述第二电极还与第二电极连接层电性接触，所述第二电极连接层设置于所述第二电极和第二绝缘层之间。

5.根据权利要求4所述的垂直结构深紫外LED结构，其特征在于：

所述外延层的第一面具有表面粗化结构；

和/或，所述外延层的第一面上还开设有第三沟槽，所述第三沟槽的槽底面到达所述第二电极连接层表面，所述第三沟槽内设有第一焊盘，所述第一焊盘与所述第二电极连接层电性接触；

和/或，所述键合层与第二绝缘层之间还分布有键合阻挡层。

6.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外LED结构，其特征在于：所述第一导电半导体层形成在一外延衬底上，所述第一导电半导体层与外延衬底之间分布有缓冲层。

7.一种垂直结构深紫外LED结构的制作方法，包括在外延衬底上生长形成外延层的步骤和制作与所述外延层配合的第一电极、第二电极的步骤，所述外延层包括依次层叠设置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与第一电极电连接，所述第二导电半导体层与第二电极电连接；

其特征在于，所述的制作方法还包括：

在所述外延层的第二面上开设至少一个第二沟槽，并使所述第二沟槽的槽底面分布在所述外延层内或所述外延层的第一面上，所述第二面远离所述第一导电半导体层设置，并且所述第一面与第二面相背对；以及

至少在所述第二沟槽的槽底面上覆盖保护层，并在所述第二沟槽内填充应力匹配材料。