[发明专利]一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202111303743.2 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114028852A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王兴志 | 申请（专利权）人： | 江苏康芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D29/03 | 分类号： | B01D29/03;B01D29/96;H01L29/66 |
| 代理公司： | 深圳市广诺专利代理事务所(普通合伙) 44611 | 代理人： | 赵耀 |
| 地址： | 211400 江苏省扬州市高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，包括过滤机构，所述过滤机构包括用于安装的固定连接框、固定连接在所述固定连接框中部的过滤网和开设于所述固定连接框边缘处且具有限位作用的固定孔，所述固定连接框带动过滤网在连接柱的单体之间构成拆卸结构，安装柱，所述安装柱靠近过滤网水平中轴线一端的侧壁上开设有连接槽，所述连接槽的中部固定连接有用于复位的弹簧。该渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，通过过滤机构的设置，对燃油中的杂质进行过滤，防止杂质随着燃油进入到气液增压泵中，对气液增压泵造成堵塞，同时过滤机构通过固定块和连接柱的设置，能够非常方便的对其进行拆卸，对过滤网进行清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 渐变 纳米 凹槽 阳极 algan gan 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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