[发明专利]一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法

权利要求书

1.一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：

过滤机构（1），所述过滤机构（1）包括用于安装的固定连接框（2）、固定连接在所述固定连接框（2）中部的过滤网（3）和开设于所述固定连接框（2）边缘处且具有限位作用的固定孔（4）；

其中，所述固定连接框（2）带动过滤网（3）在连接柱（6）的单体之间构成拆卸结构。

2.根据权利要求1所述的一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述过滤网（3）的下方设置有气液增压泵（11），所述过滤网（3）的上方设置有油箱（12）；

其中，所述气液增压泵（11）和油箱（12）靠近过滤网（3）水平中轴线的一端均固定连接有外表面设置有螺纹的固定杆（15）。

3.根据权利要求1所述的一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述固定孔（4）的单体等角度设置在固定连接框（2）的边缘处，所述固定孔（4）的中部插接有具有限位作用的固定块（5）；

其中，所述固定块（5）的单体与所述固定孔（4）的单体呈一一对应设置。

4.根据权利要求3所述的一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述固定块（5）固定连接在连接柱（6）靠近过滤网（3）水平中轴线的一端，所述连接柱（6）与固定柱（7）固定连接；

其中，所述固定柱（7）伸缩连接在安装柱（8）靠近过滤网（3）水平中轴线的一端。

5.根据权利要求4所述的一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述固定块（5）和连接柱（6）通过固定柱（7）在安装柱（8）上构成弹性形结构，所述安装柱（8）插接在呈水平状态固定安装板（13）的中部；

其中，所述固定柱（7）远离过滤网（3）水平中轴线的一端与弹簧（10）的活动端相连接。

6.根据权利要求2所述的一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述固定杆（15）插接在连接口（14）的中部，所述连接口（14）的单体分别开设于固定安装板（13）的左右两端；

其中，所述固定杆（15）通过螺纹的方式与具有固定作用的固定套（16）相连接。