[发明专利]具有高散热性能的SOI晶圆及其制备方法有效
| 申请号： | 202111303138.5 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113764366B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘森;刘海彬;关宇轩;刘兴龙;班桂春 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L27/12;H01L23/373;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高散热性能的SOI晶圆及其制备方法，SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；体硅晶圆靠近埋氧层的一侧形成有预设深度的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定，高热导率材料为碳纳米管或二硫化钼。通过在体硅晶圆中设置沟槽，并在沟槽中填充材料为碳纳米管或二硫化钼的高热导率材料，基于碳纳米管及二硫化钼具有高的热导率，可有效提高SOI电路的散热性能，使SOI晶圆的尺寸做的更大；另外高热导率材料设置于体硅晶圆中，不影响硅器件层的面积，提高有源区利用率，降低成本，提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 散热 性能 soi 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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