[发明专利]具有高散热性能的SOI晶圆及其制备方法有效
| 申请号： | 202111303138.5 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113764366B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘森;刘海彬;关宇轩;刘兴龙;班桂春 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L27/12;H01L23/373;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 散热 性能 soi 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高散热性能的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供体硅晶圆，并对所述体硅晶圆进行刻蚀，以在所述体硅晶圆中形成自其表面向内延伸的沟槽；
于所述沟槽中填充高热导率材料，并采用散热胶固定，所述高热导率材料为碳纳米管或二硫化钼；
于所述高热导率材料所在面的所述体硅晶圆上形成硅器件晶圆；
于所述硅器件晶圆上形成保护层；
采用注氧隔离工艺，于所述硅器件晶圆底部形成预设厚度的埋氧层，剩余厚度的所述硅器件晶圆形成为硅器件层。
2.根据权利要求1所述的具有高散热性能的SOI晶圆的制备方法，其特征在于：采用外延工艺形成所述硅器件晶圆。
3.根据权利要求1所述的具有高散热性能的SOI晶圆的制备方法，其特征在于：所述保护层为氧化硅层。
4.一种具有高散热性能的SOI晶圆，所述SOI晶圆采用如权利要求1~3中任意一项所述的具有高散热性能的SOI晶圆的制备方法制备得到。
5.根据权利要求4所述的具有高散热性能的SOI晶圆，其特征在于：所述高热导率材料为碳纳米管，所述碳纳米管在所述沟槽中沿所述沟槽的长度方向设置或沿所述沟槽的宽度方向设置或沿所述沟槽的深度方向设置。
6.根据权利要求4所述的具有高散热性能的SOI晶圆，其特征在于：所述高热导率材料为二硫化钼，所述二硫化钼在所述沟槽中沿所述沟槽的深度方向呈层状依次层叠，且相邻两层之间通过范德瓦尔斯力结合。
7.根据权利要求4所述的具有高散热性能的SOI晶圆，其特征在于：所述体硅晶圆为P型掺杂或N型掺杂，掺杂浓度介于1014 cm-3~1016cm-3之间。
8.根据权利要求4所述的具有高散热性能的SOI晶圆，其特征在于：所述沟槽在所述体硅晶圆中沿相同方向平行设置。
9.根据权利要求4所述的具有高散热性能的SOI晶圆，其特征在于：所述沟槽在所述体硅晶圆中为周向连通的连通槽。
10.根据权利要求9所述的具有高散热性能的SOI晶圆，其特征在于：所述连通槽互相间隔设置或互相嵌套设置。
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