[发明专利]一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法在审
| 申请号： | 202111299775.X | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114023634A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王雨薇;余康华;王俊 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 陈龙 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：S10、对SiC外延片表面进行标准RCA清洗；S20、将清洗好的SiC外延片放入腔室1中，通入三甲基铝烷和氨气，在T1温度下，在SiC外延片上表面生长AlN介质层，生长时间为t1；S30、将生长有AlN介质层的SiC外延片放入腔室2中，通入氧气或混合气，在T2温度下，将部分或全部AlN介质层氧化，生成AlON氧化层，氧化时间为t2。本发明实例通过氧化AlN一方面得到禁带宽度更高的AlON，可以有效抑制SiCMOSFET器件的漏电流；另一方面，氧化过程中产生的含氮气氛可以起到界面钝化的效果，在不额外引入退火工艺的情况下，可进一步改善SiCMOS界面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 aln 介质 新型 sic 绝缘 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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