[发明专利]一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法在审
| 申请号： | 202111299775.X | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114023634A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王雨薇;余康华;王俊 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 陈龙 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 aln 介质 新型 sic 绝缘 制备 方法 | ||
1.一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，其特征在于，制备方法包括：
S10：对SiC外延片表面进行标准RCA清洗；
S20：将清洗好的SiC外延片放入腔室1中，通入三甲基铝烷和氨气，在T1温度下，在SiC外延片上表面生长AlN介质层，生长时间为t1；
S30：将生长有AlN介质层的碳化硅外延片放入腔室2中，通入氧气或混合气，在T2温度下，将部分或全部AlN介质层氧化，生成AlON氧化层，热氧化时间为t2；
S40:重复步骤S10-S30直至所述AlON氧化层厚度达到预设值；
对于薄层AlON氧化层，步骤S40可省略。
2.根据权利要求1所述的基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，其特征在于，所述T1的范围为：150℃≤T1≤500℃，优选200℃。
3.根据权利要求1所述的基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，其特征在于，所述T2的范围为：600℃≤T2≤1200℃，优选900℃。
4.根据权利要求1所述的基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，其特征在于，所述混合气包含氧气、氮气或氨气。
5.根据权利要求1所述的基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，其特征在于，所述碳化硅外延片为平面结构或者沟槽结构。
6.根据权利要求1所述的基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，其特征在于，所述AlON氧化层中的Al，O，N元素配比可通过调控T1，t1，T2与t2实现。
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